具体的な業務内容
【富山】プロセス開発エンジニア(SiCパワーデバイス向け装置開発)プライム上場半導体製造装置メーカー
〜半導体関連業界にて膜種を問わず成膜経験がある方へ/技術力が高く業界内で地位を確立する安定企業/年休125日・残業月平均25時間程度〜
■概要:
SiCパワーデバイス向けの技術開発をお任せします。顧客との成膜に関する議論を行い、顧客のニーズを確認しながら成膜開発を行います。
■具体的な業務:
・SiCパワーデバイス向け装置のオペレーション、成膜評価、処理条件の検討
・成膜を分析するための測定器の運用
・成膜結果をまとめたり顧客PRするための技術資料の作成
■入社後の流れ:
入社後はプロセス設計研修(導入教育)・OJT(指導員と一連の業務研修)を受けていただき、その後当グループへジョインいただくことを想定しております。
■配属先:システム開発本部
SiCパワーデバイス開発グループ 7名
経験豊富な社員が多く、業務について分からないことがあれば質問・相談がしやすい雰囲気です。
変更の範囲:会社の定める業務
チーム/組織構成
その他製品・プロジェクト事例
利用するツール・ソフト等