【仕事内容】

【ポジション概要】

5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの性能を左右するエピタキシャル結晶成長の技術開発および量産展開を担うポジションです。MOCVD等を用いた結晶成長プロセスの開発から、量産ラインへの展開までを一貫してご担当いただきます。



【具体的な仕事内容】

【主な業務】



GaN系化合物半導体のエピタキシャル結晶成長プロセスの技術開発

MOCVD等を用いた結晶成長条件の最適化

新製品・新構造に対応する結晶成長技術の確立

量産ラインへの技術展開・歩留まり安定化

結晶品質の評価・解析



【業務の特徴】



エピタキシャル結晶成長を担うチームに配属。技術開発と量産展開の両面に携われます。

プロセス開発やデバイス設計との連携が日常的にあり、エピ技術がデバイス性能にどう影響するかが直接見える環境です。



【期待する役割・ミッション】

GaN-HEMTトランジスタのエピタキシャル結晶成長における技術開発と量産展開の中核メンバーとしてご活躍いただくことを期待しています。



【キャリアパス】

入社後、OJTを通じて同社固有の技術にキャッチアップいただき、数年後には担当領域の技術リーダーとしてご活躍いただけるよう成長を期待しています。



部門間異動の自由度が高く、ユニットプロセス → プロセスインテグレーション→ エピ成長技術→ モデリングなど、ご志向に応じて幅広いキャリアパスが選択可能です。各要素技術のスペシャリストとして深めるキャリアと、リーダー・課長クラスとして全体を見る力を養うキャリアの両方が開かれています。



【組織構成】

電子デバイス事業部 プロセス開発部



GaN-HEMTのプロセス開発を担う部門です。プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、エピタキシャル結晶成長、モデリング・シミュレーション、素子設計・レイアウトといった要素技術機能が一つの部に集約されており、材料からトランジスタまで垂直統合された体制で機動的に技術開発を進めています。



部門間の垣根を越えた会話がしやすく、隣の技術領域で自分の成果がどう使われるかが見えやすい環境です。



【本ポジションの魅力】

【事業面の魅力】

【5G/6G時代の無線通信インフラを、最前線で支える】



5G/6G時代の到来に伴い、無線通信の高周波化が急速に進んでいます。基地局向け高出力・高効率デバイスの市場は今後さらに拡大が見込まれており、同社の技術優位がそのまま事業成長に直結するフェーズにあります。通信インフラ全体の需要が伸びる領域であり、将来性の高い事業基盤のもとでキャリアを築けます。



GaN-HEMT業界で国内断トツのシェアと売上を持ち、海外のグローバル環境で活躍できます。

住友電工グループのスケールメリットを生かし、継続的に事業を拡大しています。

最終顧客と直接仕事ができる、デバイスメーカーならではの顧客近接性があります。



【技術開発環境の魅力】

【シリコン半導体とは異なる、全体を見渡せる開発体制】



シリコン半導体の開発現場では、規模が大きく完全分業が一般的です（例：エッチング担当ならエッチングのみ）。個々の工程について深い専門性が磨かれる、技術者にとって面白い領域です。



一方、同社の化合物半導体開発には別の面白さがあります。プロセス開発部にユニットプロセスからインテグレーション、結晶成長、モデリングまでの要素技術機能が集約されています。隣の技術領域を見れば、自分のユニット技術がどのトランジスタに使われるかが分かる。上流から下流まで全体を見渡しながら、製品全体を理解した上で開発に取り組める環境です。



【キャリア面の魅力】

ユニットプロセス → プロセスインテグレーション→ エピ成長技術→ モデリングなど、部門間異動の自由度が高く、総合力と広い視野を身につけられます。

本人希望があれば、顧客対応や製品の利用シーンにも視野を広げる機会があります。

住友電工グループの一員として、安定した経営基盤のもと長期的にキャリアを築けます。

【変更の範囲】
無し