募集要項

雇用形態

正社員

年収・給与

年収 500万円 ～ 700万円

休日・休暇

仕事内容参照

勤務地

仕事内容参照

【変更の範囲】
無し

契約期間

契約期間の定め：無し

求める経験・スキル

【必須要件】

SiC、GaN、またはシリコンパワーデバイスの開発経験（3年以上）

TCAD（Synopsys， Silvaco等）経験者

半導体デバイス物性・電気特性の知識



本部は台湾にあり、取引先の工場も海外にあるため、英語を主とした外国語でのやり取りが発生します。英語を話せる社員が多いため、フォローは可能なので、入社後に英語を勉強していただければ問題なし！

従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。

国内外各地からメンバーが集まっております！

職種分類

技術系（素材、食品、メディカル） ＞ セールスエンジニア（素材・半導体素材・化成品）

事業内容

Si（シリコン）、SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム）といった材料を用いた、次世代パワー半導体デバイスの設計・研究開発を行うファブレス半導体企業です。

地球温暖化対策やCO2排出削減、省エネルギー化が世界的な課題となる中、電気エネルギーの変換効率を飛躍的に高めるパワー半導体の開発を推進。自動車、鉄道、スマートグリッドなど多様な分野におけるエネルギーの高度利用を実現し、グリーンテクノロジー領域のパラダイムシフトに貢献することをミッションとしています。

同社の特長は、単なるデバイス設計にとどまらず、日本・台湾・アメリカなど世界各国のファウンドリーメーカーやデザインエンジニアと密に連携し、アプリケーションに最適化されたパワーデバイス（Si、SiC、GaN）の開発を行っている点です。大手半導体メーカー出身で20～30年の実務経験を有するエンジニアがチームを構成し、デバイスおよびモジュールの先端研究から試作、量産・市場投入までを一貫して手がけています。

製品例としては、「SiC SBD（650V～1700V／4A～60A）」「SiC DMOS（650V～1700V／800mΩ～10mΩ）」などがあり、高度なジャンクションバリア構造、セルフアライン構造、薄ウエハ技術といったキーテクノロジーを活用し、低損失・高信頼性・高いコストパフォーマンスを実現しています。

また、大学などの研究機関や企業との共同研究にも積極的に取り組み、先端パワーデバイス分野におけるリーディングカンパニーを目指しています。従来の垂直統合型の日本型半導体メーカーとは異なり、プロセスインテグレーションも含めた水平分業モデルを基盤とした事業展開を行っています。

さらに2022年以降はGaNパワーデバイスの開発にも注力し、Wide Band Gap（広帯域ギャップ）材料を活用した製品ラインアップの拡充を進めています。

リモートワーク

未選択

エージェント情報

社名

株式会社マイナビ