P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア◆WEB面接可

東芝デバイス&ストレージ(株)

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P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア◆WEB面接可

東芝デバイス&ストレージ(株) [人材紹介求人]

  • 正社員
  • 従業員1,000名以上
  • 石川県

掲載開始日:2025/02/10 更新日:2025/02/20

仕事内容

MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス(成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など)の開発をお任せします。
各工程毎にチーム編成をして、プロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。各チームで開発を牽引頂ける人財を求めており、ご経験を踏まえてお任せする工程を相談します。【募集背景】需要拡大が見込まれる低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強するための300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、及び新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材を募集。

募集要項

雇用形態
正社員
年収・給与
年収450~ 1000万円
勤務地
石川県
神奈川県川崎市幸区小向東芝町1
特徴
  • フレックス勤務
  • 従業員1,000名以上
  • 年間休日120日以上
応募条件
【下記いずれ必須】■半導体のユニットプロセス技術経験者 
■半導体装置メーカ、半導体材料メーカ等、半導体関連メーカに在籍され、ユニットプロセスの知見がある方
その他特記事項
【尚可】
・半導体のプロセス・インテグレーション開発に従事された経験がある方
・半導体のデバイス開発に従事された経験がある方
・欠陥検査装置の経験または知識がある方
・TCADシミュレーションに関する知識がある方

企業情報

社名
東芝デバイス&ストレージ(株)
業種
半導体・電子・電気部品(メーカー)
事業内容
◆ディスクリート半導体、システムLSI、HDD及び関連製品の開発・生産・販売事業並びにその関連事業
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