D3【第二新卒/兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア◆/WEB面接可

東芝デバイス&ストレージ(株)

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D3【第二新卒/兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア◆/WEB面接可

東芝デバイス&ストレージ(株) [人材紹介求人]

  • 正社員
  • 従業員1,000名以上
  • 神戸市、その他兵庫県

掲載開始日:2025/02/26 更新日:2025/02/27

仕事内容

当社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しており、川崎にてデバイス開発とプロセスインテグレーションに取り組んでおります。※エピタキシャルプロセスについては、兵庫にて研究開発中です。
株式会社東芝の研究開発センターや各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。【募集背景】CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するパワー半導体として、Siに変わる化合物材料(SiC/GaN)デバイスの需要拡大が見込まれます。その中でGaNパワーデバイス事業の早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料を開発する人材を募集。

募集要項

雇用形態
正社員
年収・給与
年収450~ 1000万円
勤務地
神戸市、その他兵庫県
神奈川県川崎市幸区小向東芝町1
特徴
  • フレックス勤務
  • 従業員1,000名以上
  • 年間休日120日以上
応募条件
【必須】学生時代の専攻が材料工学、電気電子、化学などものづくりに取り組まれた経験がある方
その他特記事項
【尚可】
・GaNまたはSiCに関する知見
・エピタキシャルプロセス開発に関する知見
・デバイスメーカ、半導体製造装置メーカ在籍の方

企業情報

社名
東芝デバイス&ストレージ(株)
業種
半導体・電子・電気部品(メーカー)
事業内容
◆ディスクリート半導体、システムLSI、HDD及び関連製品の開発・生産・販売事業並びにその関連事業
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