具体的な業務内容
【藤沢】デバイスプロダクトエンジニア※年休129日／就業環境◎／半導体メモリの老舗企業
【シリコンバレー発「フラッシュメモリ」の開発の老舗企業／半導体企業である同社のメモリ製品は世界シェア上位】
■仕事概要：
3D NANDの製品・技術開発を担当頂きます。
主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトランジスタを電気的に測定・解析し、プロセス開発、製品の性能・信頼性向上のための技術開発を行います。
国内、海外他拠点を含むプロセス、テスト、設計等のチームとも仕事を分担して、共同で開発を行います。
■具体的な業務：
・DPPM改善のためのスクリーニング・テストの開発
・不良モード・モデル推察のための電気解析
・不良の共通項を見つけるためのデータ解析
・DPPM評価用プログラムの作成・デバッグ
■当社で半導体エンジニアとして働く魅力：
・本社がシリコンバレーにあるため、世界の半導体に関する最先端の情報を、いち早く入手し、開発に生かすことができます。最先端の技術を活用し、時代をリードする最先端の製品開発を行うことが可能です。
・比較的業務の幅、裁量が広く、技術の提案等を行うことができます。狭い範囲の決められた仕事をこなすのではないため、技術者としてのレベルアップを図りやすい環境が整っています。
■当社の魅力：
アメリカのシリコンバレーで誕生し、革新的な半導体メモリ、「フラッシュメモリ」の技術を開発し続けてきました。国籍や性別、年齢など、様々なバックグラウンドを持つ世界クラスの優秀なエンジニアが活躍の場を求めて同社にやってきています。
チーム／組織構成
その他製品・プロジェクト事例
利用するツール・ソフト等
