具体的な業務内容
【京都／転勤無】パワー半導体の設計開発 ＜量産化の成長フェーズ＞国内外のスペシャリストと協業
〜電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発／国内外からの出資企業多数！Si、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業〜
■事業ミッション
これまでR＆Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推移してきました。
現在、順調に資金調達および顧客開拓が進み、SiCパワー半導体デバイスの量産に向けて始動しております。
今回は、これまで種み上げてきた技術を量産化していく為にご尽力いただける方を募集いたします。
※複数名の増員募集のためご経験に合わせて、ご活躍できる職種をご相談させていただきます。
■業務内容
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアと連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。
■製品について
Wide Band Gap Power devices (SiC,GaNなど)
大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。
今後量産化を図り、グローバルな販路の拡大を目指しております。
■配属先情報
大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で10〜30年以上の経験を持つスペシャリストが在籍しています。
一緒に世の中に技術革新を起こすメンバーを歓迎いたします。
■在籍社員の入社理由
・新規パワー半導体デバイス（SiC・GaN）を学びたい
・半導体製造プロセスに一貫して関わりたい
ご経験を活かしつつ、他社ではできない幅広い経験や最先端知識を求めてご入社される方が多いです。
■給与形態
・専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み
■当社について：
◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。
◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。
◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。
変更の範囲：会社の定める業務
チーム／組織構成
その他製品・プロジェクト事例
利用するツール・ソフト等
