| キャリコネ 口コミ・評判の情報サイト
Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ(株)
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、信頼性技術の確立・歩留まり改善をお任せします。 SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、製品仕様の決定のための信頼性評価技術・歩留まり向上技術の体制確立が急務の為、それに伴う人材の強化を進めています。 現社員は大手半導体メーカー（TI/ ON Semiconductor/ 日立/ 三菱電機/ ルネサス/ ローム等で）20〜30年以上の経験を持つメンバーで構成されております。2022年よりGaN Projectがスタートしています。
正社員
京都市、その他京都府
年収500～ 1000万円
パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の【1】〜【4】いずれか経験がある方
【1】パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 【2】ファウンドリーでのデバイス試作経験 【3】デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験 【4】パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験
