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(株)デンソー
◇パワーデバイス材料研究、デバイス開発をお任せ致します。 【業務詳細】 ■SiCウェハガス成長法の研究開発 ■SiCエピタキシャル成長の研究開発 ■横型GaN-HEMTのデバイス開発 ■縦型GaN-MOSFETのデバイス開発 ■α酸化ガリウム半導体研究開発 ■β酸化ガリウム半導体研究開発 ■ダイヤモンド半導体研究開発
正社員
名古屋市、その他愛知県
年収550～ 1200万円
【必須】■パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）■半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有する方
【歓迎】■第一原理計算、T-CADシミュレーション経験 ■エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上）■ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上） 【求める人物像】車載パワー半導体の研究開発をリードし、カーボンニュートラルな社会実現への貢献を実感できる、やりがいの持てる職場で一緒に汗を流してくれる方を募集しております。
