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新電元工業(株)
パワーエレクトロニクスのトップメーカーの当社にてSiC-MOSFETのデバイス開発およびプロセス開発をお任せいたします。 【業務詳細】■RonA特性の性能向上など、デバイス（チップ）構造および成膜プロセスに関する開発業務と試作品の性能評価を行います。 【SiC-MOSFETについて】低炭素社会の実現に大きく貢献するデバイスであり、民生・産業・通信機器製品の高効率化、車両の電動化・高効率化に必須なデバイスとなります。このデバイスを市場にて広く採用して頂くためにデバイスのポテンシャルを引き出す必要があります。
正社員
埼玉県
年収500～ 900万円
【必須】■半導体プロセス開発/デバイス開発のご経験 【尚可】■SiC-MOSFETの製品開発業務の実務経験■プロセスシミュレータのスキル■デバイスシミュレータのスキル
【魅力】リチウムイオン電池の技術進化と環境意識の高まりなどを受け、車載用電装市場においても急速に電動化が進んでいます。そうした中で、デバイス、回路、実装技術を併せ持つ当社では、次世代半導体デバイスを活かすための環境が整っています。
