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Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ(株)
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、パワー半導体デバイスの設計開発をお任せします。 SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制を強化するための採用です。
正社員
京都市、その他京都府
年収500～ 1000万円
【必須】パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験 【尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
★本部は台湾にあり、取引先の工場も海外にあるため、英語を主とした外国語でのやり取りが頻繁に発生します。英語を話せる社員が多いため、フォローは可能なので、入社後に英語を勉強していただければ問題なし！ ★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。
