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Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ(株)
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。 SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けデバイス試作（パッケージ/モジュール）を強化するための採用です。 また2022年からはGaN Projectもスタートし各々のWide Band Gap材料による特徴ある新機能性デバイスの設計・開発を行っております。 入社後はご本人様次第で幅広い業務に挑戦いただけます。
正社員
京都市、その他京都府
年収700～ 1000万円
【必須】※パワー半導体における以下のご経験5年以上 ■半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計･開発経験 ■ファウウンドリーでの半導体デバイス試作経験
★本部は台湾にあり、取引先の工場も海外にあるため、英語を主とした外国語でのやり取りが頻繁に発生します。英語を話せる社員が多いため、フォローは可能なので、入社後に英語を勉強していただければ問題なし！ ★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。
