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Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ(株)
業界最先端の高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、パワー半導体デバイスの設計開発/試作/評価等の業務をお任せします。 ※ご本人の希望・適性に応じて幅広い業務に挑戦いただけます。 SiCパワー半導体デバイスのモジュール化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制を強化するための採用です。 また2022年からはGaN Projectもスタートし各々のWide Band Gap材料による特徴ある新機能性デバイスの設計・開発を行っております。 入社後はご本人様次第で幅広い業務に挑戦いただけます。
正社員
京都市、その他京都府
年収700～ 1000万円
【必須】パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）に関わる業務経験（※5年以上） 【尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
★本部は台湾にあり、取引先の工場も海外にあるため、英語を主とした外国語でのやり取りが発生します。英語を話せる社員が多いため、フォローは可能なので、入社後に英語を勉強していただければ問題なし！ ★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。 ★国内外各地からメンバーが集まっております！
