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東芝デバイス＆ストレージ(株)
MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発をお任せします。 各工程毎にチーム編成をして、プロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。各チームで開発を牽引頂ける人財を求めており、ご経験を踏まえてお任せする工程を相談します。【募集背景】需要拡大が見込まれる低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強するための300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、及び新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材を募集。
正社員
石川県
年収450～ 1000万円
【下記いずれ必須】■半導体のユニットプロセス技術経験者 ■半導体装置メーカ、半導体材料メーカ等、半導体関連メーカに在籍され、ユニットプロセスの知見がある方
【尚可】 ・半導体のプロセス・インテグレーション開発に従事された経験がある方 ・半導体のデバイス開発に従事された経験がある方 ・欠陥検査装置の経験または知識がある方 ・TCADシミュレーションに関する知識がある方
