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東芝デバイス＆ストレージ(株)
ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する以下の業務をお任せします。具体的には、下記業務になります。 ■デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ■試作・性能評価・解析 ■量産立上業務 【対象デバイス】■IGBT、ダイオード、パワーモジュール■パワーMOSFET 【募集背景】当社は300mmウェーハ対応の製造ラインの生産能力増強を中心とした事業の拡大を図るとともに、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なディスクリート半導体製品を開発する人財を求めています。 変更範囲：当社業務全般
正社員
石川県
年収450～ 1000万円
【必須】下記いずれかのご経験がある方 デバイス設計／プロセス技術／生産技術／パッケージ技術／材料開発／品質保証／評価・解析／製品テスト
【尚可】 ・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。 ・半導体デバイスに関する知識をお持ちの方。 ・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。
