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東芝デバイス＆ストレージ(株)
配属部門ではSiCやGaNなどの化合物半導体の研究開発を行っています。SiCの研究開発は兵庫の姫路半導体工場に人員を集約しており、パワーモジュール開発、デバイス設計、プロセス開発、製造まで一貫して取り組んで いるため、一連の業務を経験し、PDCAを回しやすい環境です。半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組みたい方は是非ご応募下さい。【募集背景】カーボンニュートラル、脱炭素社会の実現に向けて、電力を制御する役割を果たすパワーデバイスの需要拡大が見込まれる。産業用機器、社会インフラ機器、電鉄、自動車などに使用されるSiCの製品・ウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置を開発する人材を募集。
正社員
神戸市、その他兵庫県
年収450～ 1000万円
【必須】半導体デバイス設計／プロセス技術の知見をお持ちの方 【歓迎】■パワーモジュールの設計・開発に従事された経験のある方 ■半導体デバイス設計／プロセス技術の知見をお持ちの方
■パワーデバイス(SiC等)のチップ設計、開発に従事された経験のある方■TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。 ■半導体製造装置メーカで装置開発、あるいはプロセス開発に従事された経験のある方 ■半導体ウェハメーカでプロセス開発(特にエピタキシャル成長プロセス)または装置開発に従事された経験のある方
