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東芝デバイス＆ストレージ(株)
当社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しており、川崎にてデバイス開発とプロセスインテグレーションに取り組んでおります。※エピタキシャルプロセスについては、兵庫にて研究開発中です。 株式会社東芝の研究開発センターや各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。【募集背景】CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するパワー半導体として、Siに変わる化合物材料（SiC/GaN）デバイスの需要拡大が見込まれます。その中でGaNパワーデバイス事業の早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料を開発する人材を募集。
正社員
神戸市、その他兵庫県
年収450～ 1000万円
【必須】学生時代の専攻が材料工学、電気電子、化学などものづくりに取り組まれた経験がある方
【尚可】 ・GaNまたはSiCに関する知見 ・エピタキシャルプロセス開発に関する知見 ・デバイスメーカ、半導体製造装置メーカ在籍の方
