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古河電気工業(株)
薄膜LNおよびシリコンフォトニクスに基づく光集積回路(PIC)の設計・プロセス開発・製品化を担う当課において、薄膜LN設計またはシリコンフォトニクスの設計のいずれかの業務をお任せします。 ■薄膜LN（Lithium Niobate: ニオブ酸リチウム）に基づく光変調器・光導波路の設計・評価チームを自ら率先してPDCAを推進。自社で保有している薄膜LNプロセスを活用するため、工場所属のプロセスチームや製造技術・製造メンバーと連携します。 ■シリコンフォトニクス(SiPh)に基づく光受光器・光導波路の設計・評価チームの自ら率先してPDCAを推進。
正社員
横浜市、川崎市、その他神奈川県
年収500～ 900万円
【必須】■電気測定器や光学測定器を用いた評価経験(電源、オシロスコープ、デジタルマルチメーター等) ■電気・電子・光通信に関する基礎知識 ■光部品(光ファイバ等)の取り扱いスキル
【歓迎】 ・語学力（海外の顧客、営業拠点、パートナーとの打合せにて英語を使用※オンライン会議・メールなど） ・光集積回路のCAD設計（プログラミング技術（C、Pythonなど）含む） ・シミュレーションスキル（光導波路解析（Lumerical、Rsoft）、電磁界解析（HFSS）、熱応答解析（Icepak/Flotherm）、応力解析（Ansys)、TCAD(半導体解析)) ・高周波設計スキル（高速信号波形測定、周波数応答特性、Sパラメータ解析）
