具体的な業務内容
【京都/西院】パワーデバイス・プロセス開発エンジニア(GaN)※WEB面接可/
■募集背景:GaNデバイス量産体制構築、開発体制強化量産化に向けて、工場への技術移管を進めていくリーダー人財を求めております。
■仕事内容:GaNパワーデバイス・プロセスエンジニアとして下記業務をご担当いただきます。
・GaNデバイス・プロセスの設計・開発業務(信頼性/歩留まり改善業務)
・Foundry開発
■GaNパワーデバイスとは
GaN(窒化ガリウム)とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっている。例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。既に量産化が始まっているSiC(シリコン・カーバイド)を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。
※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニアについても検討させていただきます。
※勤務地についてはご希望をお伺いの上、決定いたします。
■就業環境
全社月平均残業23.1時間・週一ノー残業推奨/有給消化率72.9(平均取得日数14日)とワークライフバランスの整った就業環境です。また、中途採用比率42%と中途入社でもハンデなく活躍できる環境です。
■当社事業について:
電子機器の低消費電力性能を左右し、脱炭素のカギとなるキーデバイスである、炭化ケイ素(SiC)を使ったワー半導体を製造しており、世界で初めてSiCの量産化に成功しています。SiC半導体は電気自動車(EV)を中心に需要が急増しており、世界シェア30%を目指しております。
チーム/組織構成
その他製品・プロジェクト事例
利用するツール・ソフト等