具体的な業務内容
リーダー候補/AlN基板を用いたパワー半導体向けIII族窒化物半導体薄膜の研究/愛知県名古屋市
旭化成グループではAlN基板を用いた新規デバイスの開発を行っています。これまでに世界初のUV-Cレーザーダイオードの室温連続発振や縦型p-nダイオードなどの成果を実現しており、今後さらに開発を加速するため、開発の要となるエピタキシャル薄膜成長を担うことができる仲間を募集いたします。
【変更の範囲:会社の定める業務】
■パワー半導体の研究開発
・AlN基板上のエピタキシャル成長技術の開発
・エピ成長した薄膜の解析
・Simulation等によるエピ構造やデバイス構造の工夫や改善提案
・富士の開発メンバーへの情報共有化、生産技術適用に向けた検討
<仕事の魅力・やりがい>
・名古屋大学の世界トップクラスの研究者に囲まれた環境で自身の能力を研鑽できます。
・旭化成グループ内の事業部組織と連携することで、自身の研究成果を社会実装へと導く道のりを当事者として経験できます。
<キャリアパスイメージ>
・1〜3年後
AlN基板を用いたパワー半導体の研究成果について対外発表を行い、この分野における第一人者としてご活躍いただきたいと考えています。
また、旭化成グループ内の研究開発テーマの方向性についてアイデアの創出や提案を行い、業務を推進いただけることを期待しています。
・3〜5年後
研究だけにとどまらず、その成果を社会実装するためのロードマップを提示し、旭化成グループにおけるパワー半導体研究開発を引っ張っていくリーダーとしてのご活躍を期待しています。
変更の範囲:本文参照
チーム/組織構成