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ローム(株)
IGBTデバイス開発・設計、プロセス開発業務・テストライン構築に従事していただきます。 TCADを使ったデバイスシミュレーション、CADを使ったTEGマスク作製業務、滋賀工場でウェハプロセスフローを構築して試作ロットの流動、試作したウェハの電気特性評価、不良品の物理解析など、デバイス開発の前工程部分を一貫してご担当いただく予定です。ディスクリート製品では、開発の上流から下流までの業務を広く受け持つため、デバイス開発エンジニアとしてのスキルが一通り身に付きます。
正社員
京都市、その他京都府
08:15～ 17:15
年収500～ 800万円
【必須】 ・MOSFETの構造・動作特性の基本的な理解 ・半導体プロセスの基本的な理解
【歓迎】 ・基礎的な電気回路の理解 ・ウェハプロセス工場での開発業務 【語学力】 ・英語の読み書き(メールや文献を読む)レベル 論文や仕様書を英語で読む、海外とのメール
