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『ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社』に関連する転職・求人情報

• 『先端NAND開発のプロセスインテグレーション』台湾勤務.働く環境.定着性抜群

  ウィンボンド・エレクトロニクス(株)

  • 正社員

  仕事内容	■先端NANDのプロセスインテグレーションをお任せします。台湾勤務となりますが、現地には日本から10数名勤務しており、長期的に就業中。台湾の現地社員と協働し、開発を強力に推進いただくことを期待。 ※忙...
  年収・給与	年収800～ 2500万円
  勤務地	神奈川県横浜市港北区新横浜２－３－１２新横浜スクエアビル９Ｆ

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• 『プロセスインテグレーション（DRAM）』台湾勤務・働く環境◎定着性抜群！

  ウィンボンド・エレクトロニクス(株)

  • 正社員

  仕事内容	DRAMのプロセスインテグレーションをご担当いただきます。台湾勤務となりますが、現地には日本から10数名勤務しており、長期的に就業中。台湾の現地社員と協働し、技術の伝承をいただくことを期待。 【当社D...
  年収・給与	年収800～ 2500万円
  勤務地	神奈川県横浜市港北区新横浜２－３－１２新横浜スクエアビル９Ｆ

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• 『デザインエンジニア（NANDフラッシュメモリ）』大手半導体企業の日本法人

  ウィンボンド・エレクトロニクス(株)

  • 正社員

  仕事内容	■1Xnm、2XnmのNANDのRTL設計者、およびロジック検証をお任せいたします。NANDのリード設計は日本で行っており、競合他社と比較して少人数組織となるため、裁量が大きく自身の考えを反映させやす...
  年収・給与	年収800～ 1500万円
  勤務地	神奈川県横浜市港北区新横浜２－３－１２新横浜スクエアビル９Ｆ

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• 『デザインエンジニア（NORフラッシュメモリ）』大手半導体企業の日本法人

  ウィンボンド・エレクトロニクス(株)

  • 正社員

  仕事内容	■NORフラッシュメモリのRTL設計およびロジック検証をお任せいたします。NORの設計は米国拠点および日本拠点共同で少数精鋭での開発を行っております。ロジック設計、検証業務は日本拠点がメインで行ってお...
  年収・給与	年収800～ 1500万円
  勤務地	神奈川県横浜市港北区新横浜２－３－１２新横浜スクエアビル９Ｆ

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• 【先端NAND開発のプロセスインテグレーション】台湾勤務.働く環境.定着性抜群

  ウィンボンド・エレクトロニクス(株)

  • 正社員

  仕事内容	■先端NANDのプロセスインテグレーションをお任せします。台湾勤務となりますが、現地には日本から10数名勤務しており、長期的に就業中。台湾の現地社員と協働し、開発を強力に推進いただくことを期待。 ※忙...
  年収・給与	年収800～ 2500万円
  勤務地	神奈川県横浜市港北区新横浜２－３－１２新横浜スクエアビル９Ｆ

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• 【デザインエンジニア（NORフラッシュメモリ）】大手半導体企業の日本法人

  ウィンボンド・エレクトロニクス(株)

  • 正社員

  仕事内容	■NORフラッシュメモリのRTL設計およびロジック検証をお任せいたします。NORの設計は米国拠点および日本拠点共同で少数精鋭での開発を行っております。ロジック設計、検証業務は日本拠点がメインで行ってお...
  年収・給与	年収800～ 1500万円
  勤務地	神奈川県横浜市港北区新横浜２－３－１２新横浜スクエアビル９Ｆ

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• 【DRAMプロセスエンジニア（エッチング）】台湾勤務・住まい確保・暮らし◎

  ウィンボンド・エレクトロニクス(株)

  • 正社員

  仕事内容	■DRAM（10nm台）のエッチングプロセス開発業務 勤務地：台湾ですが、現地に日本から10数名勤務しており、長期的に就業中。台湾の現地社員と協働し、技術の伝承頂くことを期待しています 【当社DRAM...
  年収・給与	年収800～ 2000万円
  勤務地	神奈川県横浜市港北区新横浜２－３－１２新横浜スクエアビル９Ｆ

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• 【台湾】DRAMプロセスエンジニア ※台湾株式取引市場上場／プログラム格納用メモリ世界トップシェア【dodaエージェントサービス 求人】

  ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

  • 正社員

  仕事内容	【台湾】DRAMプロセスエンジニア ※台湾株式取引市場上場／プログラム格納用メモリ世界トップシェア 【台湾株式取引市場上場／グローバルにおいて2,000億円の売上／離職率3%／残業月20時間程度】 ...
  応募資格	学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ◆応募要件：※下記いずれかの経験をお持ちの方 ・薄膜プロセス工程の設計経験 ・金属と誘電体のプロセス開発の経験 ・ビジネスで英語を使用した経験 ◆歓迎要件： ・メ...
  年収・給与	＜予定年収＞ 1,000万円〜2,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 補足事項なし ＜賃金内訳＞ 年額（基本給）：9,996,000円〜24,960,000円 ＜月額＞ 833,000円〜2,08...
  勤務地	＜勤務地詳細＞ 台湾工場 住所：No. 8, Keya 1st Rd.,Daya Dist., Taichung City 428, 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり

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• 【台湾】NAND開発のプロセスインテグレーション ※台湾株式取引市場上場【dodaエージェントサービス 求人】

  ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

  • 正社員

  仕事内容	【台湾】NAND開発のプロセスインテグレーション ※台湾株式取引市場上場 【プログラム格納用メモリ世界／台湾株式取引市場上場／グローバルにおいて2,000億円の売上／離職率3%／残業月20時間程度】...
  応募資格	学歴不問 ＜応募資格/応募条件＞ ◆応募要件： ・半導体のプロセスインテグレーションの経験 ・ビジネスで英語を使用した経験 ◆歓迎要件： ・薄膜あるいはディフュージョンの分野の専門の知見 ・NAN...
  年収・給与	＜予定年収＞ 1,000万円〜2,500万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 補足事項なし ＜賃金内訳＞ 年額（基本給）：3,600,000円〜 ＜月額＞ 300,000円〜（12分割） ＜昇給有無＞ ...
  勤務地	＜勤務地詳細＞ 台湾工場 住所：No. 8, Keya 1st Rd.,Daya Dist., Taichung City 428, 受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり

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• 【横浜駅】デザインエンジニア〜世界トップクラスシェアの製品を持つ半導体メーカー〜【dodaエージェントサービス 求人】

  ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

  • 正社員

  仕事内容	【横浜駅】デザインエンジニア〜世界トップクラスシェアの製品を持つ半導体メーカー〜 【プログラム格納用メモリ世界トップクラスシェア／海外市場上場のグローバル企業/2,000億円の売上／離職率3%／残業...
  応募資格	＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ＜応募資格/応募条件＞ ◆応募要件： （1）科学、工学、電気工学系専攻 （2）英語での基本的なコミュニケーションスキル （3）1Xまたは2XnmのNANDメモリに関す...
  年収・給与	＜予定年収＞ 600万円〜1,200万円 ＜賃金形態＞ 年俸制 補足事項なし ＜賃金内訳＞ 年額（基本給）：6,000,000円〜12,000,000円 ＜月額＞ 500,000円〜1,000,...
  勤務地	＜勤務地詳細＞ 本社 住所：神奈川県横浜市港北区新横浜2-3-12 新横浜スクエアビル9F 勤務地最寄駅：JR線／新横浜駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙

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