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レポート数 2 件
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『ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社』に関連する転職・求人情報
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【台湾】DRAMプロセスエンジニア ※台湾株式取引市場上場／プログラム格納用メモリ世界トップシェア【dodaエージェントサービス 求人】
ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社仕事内容 【台湾】DRAMプロセスエンジニア ※台湾株式取引市場上場／プログラム格納用メモリ世界トップシェア
【台湾株式取引市場上場／グローバルにおいて2,000億円の売上／離職率3%／残業月20時間程度】
...応募資格 学歴不問
＜応募資格/応募条件＞
応募要件：※下記いずれかの経験をお持ちの方
・薄膜プロセス工程の設計経験
・金属と誘電体のプロセス開発の経験
・ビジネスで英語を使用した経験
歓迎要件：
・メ...年収・給与 ＜予定年収＞
1,000万円〜2,500万円
＜賃金形態＞
年俸制
補足事項なし
＜賃金内訳＞
年額（基本給）：9,996,000円〜24,960,000円
＜月額＞
833,000円〜2,08...勤務地 ＜勤務地詳細＞
台湾工場
住所：No. 8, Keya 1st Rd.,Daya Dist., Taichung City 428,
受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり詳細を見る提供元：
人材紹介求人
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【台湾】NAND開発のプロセスインテグレーション ※台湾株式取引市場上場【dodaエージェントサービス 求人】
ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社仕事内容 【台湾】NAND開発のプロセスインテグレーション ※台湾株式取引市場上場
【プログラム格納用メモリ世界／台湾株式取引市場上場／グローバルにおいて2,000億円の売上／離職率3%／残業月20時間程度】...応募資格 学歴不問
＜応募資格/応募条件＞
応募要件：
・半導体のプロセスインテグレーションの経験
・ビジネスで英語を使用した経験
歓迎要件：
・薄膜あるいはディフュージョンの分野の専門の知見
・NAN...年収・給与 ＜予定年収＞
1,000万円〜2,500万円
＜賃金形態＞
年俸制
補足事項なし
＜賃金内訳＞
年額（基本給）：3,600,000円〜6,000,000円
＜月額＞
300,000円〜500,0...勤務地 ＜勤務地詳細＞
台湾工場
住所：No. 8, Keya 1st Rd.,Daya Dist., Taichung City 428,
受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり詳細を見る提供元： 人材紹介求人
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【横浜駅】デザインエンジニア〜世界トップクラスシェアの製品を持つ半導体メーカー〜【dodaエージェントサービス 求人】
ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社仕事内容 【横浜駅】デザインエンジニア〜世界トップクラスシェアの製品を持つ半導体メーカー〜
【プログラム格納用メモリ世界トップクラスシェア／海外市場上場のグローバル企業/2,000億円の売上／離職率3%／残...応募資格 ＜最終学歴＞大学院、大学卒以上
＜応募資格/応募条件＞
応募要件：
（1）科学、工学、電気工学系専攻
（2）英語での基本的なコミュニケーションスキル
（3）1Xまたは2XnmのNANDメモリに関す...年収・給与 ＜予定年収＞
600万円〜1,200万円
＜賃金形態＞
年俸制
補足事項なし
＜賃金内訳＞
年額（基本給）：6,000,000円〜12,000,000円
＜月額＞
500,000円〜1,000,...勤務地 ＜勤務地詳細＞
本社
住所：神奈川県横浜市港北区新横浜2-3-12 新横浜スクエアビル9F
勤務地最寄駅：JR線／新横浜駅
受動喫煙対策：屋内全面禁煙詳細を見る提供元： 人材紹介求人
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プログラム格納用メモリ世界トップクラスのシェア／離職率3%
ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社仕事内容 【職務概要】
デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発をお任せします。
【職務詳細】
1X、2Xnm世代のNAND設計開発を行っていただきます。
【同社の特徴・魅力】
1.安定した雇用...年収・給与 年収800万円〜1000万円
年収:800万～1000万程度
年俸制：月額500000円
給与: 経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇
賞与：年2回（業績賞与あり）
昇給：年1回勤務地 神奈川県横浜市港北区新横浜2-3-12 新横浜スクエアビル9F
JR各線「新横浜」駅から徒歩2分
※転勤当面なし詳細を見る提供元：
人材紹介求人