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『株式会社COMFORT LAB』に関連する転職・求人情報

109件中 1〜15件を表示

  • 【大阪/内勤営業】オンライン保険代理店事業/残業20h以下/上場準備中/転勤無

    NEW
    Sasuke Financial Lab(株)
    • 正社員
    仕事内容
    サイトを閲覧したお客様からの資料請求や日々寄せられるお問合せに対して架電いただき、営業職員への商談機会創出に尽力いただきます。具体的な保険のご提案は別営業職員が担当します!
    【業務詳細】■「コのほけん...
    年収・給与 年収400~ 500万円
    勤務地 東京都千代田区大手町1-6-1大手町ビル2F FINOLAB
  • 仕事内容
    主にクラウド上で、インフラ整備、AIアプリ基盤構築、データマート整備等をご担当いただきます。Azure基盤構築業務、Difyアプリ開発業務、データ分析業務におけるデータマート構築業務をお任せいたします...
    年収・給与 年収500~ 900万円
    勤務地 東京都渋谷区恵比寿南1-5-2恵比寿 JEBL6階
  • 仕事内容
    LLMアプリ開発プラットフォームのDifyを中心として、AIアプリの開発をご担当いただきます。顧客課題の発見、改善施策の立案、生成AIアプリの実装から導入、アフターフォローまで一気通貫で手掛けるお仕事...
    年収・給与 年収500~ 900万円
    勤務地 東京都渋谷区恵比寿南1-5-2恵比寿 JEBL6階
  • 仕事内容
    高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。
    S...
    年収・給与 年収500~ 700万円
    勤務地 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
  • 仕事内容
    高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、信頼性技術の確立・歩留まり改善をお任せします。
    S...
    年収・給与 年収700~ 1000万円
    勤務地 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
  • 京都[パワー半導体デバイスの設計開発]スキル習得に意欲的な方/年休120日

    Anjet Research Lab(株)
    • 正社員
    仕事内容
    高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、パワー半導体デバイスの設計開発をお任せします。
    S...
    年収・給与 年収500~ 700万円
    勤務地 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
  • 仕事内容
    パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。
    入社後はご本人様次第で幅広い業務に挑戦いただけます。
    エネルギー効率や軽量化・スイ...
    年収・給与 年収500~ 700万円
    勤務地 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
  • 京都[プロセスインテグレーション]スキル習得に意欲的な方/年休120日

    Anjet Research Lab(株)
    • 正社員
    仕事内容
    パワー半導体デバイス(SBD、DMOS、トレンチMOS、IGBT等)のデバイス(チップ)のプロセスインテグレーションをお任せいたします。
    入社後はご本人様次第で幅広い業務に挑戦いただけます。
    【募集背...
    年収・給与 年収500~ 700万円
    勤務地 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
  • 仕事内容
    高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、パワー半導体デバイスの設計開発をお任せします。
    S...
    年収・給与 年収700~ 1000万円
    勤務地 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
  • 京都[プロセスインテグレーション]電気エネルギー変換効率を飛躍的に向上

    Anjet Research Lab(株)
    • 正社員
    仕事内容
    パワー半導体デバイス(SBD、DMOS、トレンチMOS、IGBT等)のデバイス(チップ)のプロセスインテグレーションをお任せいたします。
    入社後はご本人様次第で幅広い業務に挑戦いただけます。
    【募集背...
    年収・給与 年収700~ 1000万円
    勤務地 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
  • 仕事内容
    パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。
    入社後はご本人様次第で幅広い業務に挑戦いただけます。
    エネルギー効率や軽量化・スイ...
    年収・給与 年収700~ 1000万円
    勤務地 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
  • 仕事内容
    高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、信頼性技術の確立・歩留まり改善をお任せします。
    S...
    年収・給与 年収500~ 700万円
    勤務地 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
  • 仕事内容
    高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、ファウンドリーとのデバイス試作をお任せします。
    S...
    年収・給与 年収700~ 1000万円
    勤務地 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
  • 仕事内容
    化合物半導体(SiC,GaN)を使用したパワー半導体の量産化にあたり、委託先の海外工場との連携を行っていただきます。委託先工場は複数あり、製造・テストもそれぞれ別の工場になります。(工場間で製品は直送...
    年収・給与 年収500~ 1000万円
    勤務地 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
  • 仕事内容
    化合物半導体(SiC,GaN)を使用したパワー半導体の量産化にあたりファンダリーへの投入計画・生産管理・在庫管理や顧客との日程調整を行っていただきます。【海外との連携】出張:あり/WEBミーティング:...
    年収・給与 年収500~ 1000万円
    勤務地 京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室