住友電工デバイス・イノベーション株式会社 の転職求人情報・社員仕事内容 正社員、契約社員、派遣社員の応募情報
レポート数 2 件
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『住友電工デバイス・イノベーション株式会社』に関連する転職・求人情報
86件中 1〜15件を表示
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年収450万円〜800万円
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神奈川県
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【仕事内容】 【ポジション概要】 無線通信の出力増幅に用いられるGaN-HEMTの、エピタキシャル成長工程（エピ工程）における生産管理業務です。 エピ工程はデバイスの性能を左右する、コアかつクリティカ...
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年収450万円〜800万円
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神奈川県
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【仕事内容】 【ポジション概要】 無線通信の出力増幅に用いられるGaN-HEMTの、エピ・ウェハプロセス工程における品質管理業務です。 エピ工程はデバイスの性能を左右するコア工程であり、その品質の安定...
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年収450万円〜800万円
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2都道府県
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【仕事内容】 ポジション概要 半導体デバイスの製造に用いる各種製造装置、および工場の操業を支えるファシリティ設備（電気・ガス・水・空調・真空・熱源等）の導入・立上げ・改善を担うエンジニアリングポジショ...
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年収450万円〜800万円
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石川県
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【仕事内容】 ポジション概要 半導体デバイスの製造に用いる各種製造装置、および工場の操業を支えるファシリティ設備（電気・ガス・水・空調・真空・熱源等）の導入・立上げ・改善を担うエンジニアリングポジショ...
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年収450万円〜800万円
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神奈川県
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【仕事内容】 ポジション概要 半導体デバイスの製造に用いる各種製造装置、および工場の操業を支えるファシリティ設備（電気・ガス・水・空調・真空・熱源等）の導入・立上げ・改善を担うエンジニアリングポジショ...
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年収450万円〜800万円
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石川県
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【仕事内容】 ポジション概要 半導体デバイスの製造に用いる各種製造装置、および工場の操業を支えるファシリティ設備（電気・ガス・水・空調・真空・熱源等）の導入・立上げ・改善を担うエンジニアリングポジショ...
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年収450万円〜800万円
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2都道府県
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【仕事内容】 【具体的な仕事内容】 【主な業務】 【MES／周辺サブシステムの運用・保守・改善】 本格稼働中のMESの定常運用・障害対応・ユーザー対応 MES周辺サブシステムの開発（詳細設計、プログラ...
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年収450万円〜800万円
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石川県
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【ポジション概要】 携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）のデバイス技術エンジニアを募集します。 試作デバイスの特性評価とフィードバックを通じて、プロセス技術者・生...
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年収450万円〜800万円
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石川県
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【仕事内容】 【ポジション概要】 半導体レーザの後工程を担う製造技術エンジニアを募集します。具体的には、ウェハからチップへの個片化（精密加工）、レーザの光出射面への端面膜加工（成膜）、素子の特性検査ま...
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年収450万円〜800万円
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石川県
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【仕事内容】 【ポジション概要】 5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの製造に用いる半導体ウェハプロセスの開発を担うポジションです。個々のユニットプロセス（成膜、エッチング、フォトリソ等）の加...
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年収450万円〜800万円
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石川県
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【仕事内容】 ポジション概要 5G/6G基地局向け無線通信デバイスの後工程（組み立て・試験）において、製品の特性を測定・評価する試験設備の立上げ・運用・トラブル対応を担うポジションです。 自社のメイン...
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年収450万円〜800万円
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石川県
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【ポジション概要】 携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）のデバイス技術エンジニアを募集します。 試作デバイスの特性評価とフィードバックを通じて、プロセス技術者・生...
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年収450万円〜800万円
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石川県
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【ポジション概要】 携帯電話基地局向けGaN HEMT・高出力増幅器を収容する高周波パッケージの開発エンジニアを募集します。 高性能化・小型化を支えるパッケージの材料選定、構造設計、製造立ち上げ、工程...
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年収450万円〜800万円
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石川県
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【ポジション概要】 携帯電話基地局向けGaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担うエンジニアを募集します。 国内外の主要基地局ベンダー様からの顧客要求仕様を受け、ドハティ増幅器等の回路設計から...
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年収450万円〜800万円
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神奈川県
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【仕事内容】 【ポジション概要】 5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスに関する、トランジスタのモデリング技術開発または高周波回路の設計開発を担うポジションです。顧客が回路設計に利用するシミュレ...
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