東芝デバイス&ストレージ株式会社 の転職求人情報・社員仕事内容 正社員、契約社員、派遣社員の応募情報
レポート数 41 件
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『東芝デバイス&ストレージ株式会社』に関連する転職・求人情報
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D1-1【石川/兵庫】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(パワーデバイス)
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 カーボンニュートラル、脱炭素社会の実現に向けて、電力を制御する役割を果たすパワーデバイスの需要拡大が見込まれています。
産業用機器、社会インフラ機器、電鉄、自動車などに使用されるIGBT/SiC
を中...年収・給与 年収450~ 1000万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
D1【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ◆WEB面接可
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 弊部署では産業、車載向けMOSFETの開発・設計をしています。小信号デバイスや車載向けパワーデバイスなどのディスクリート半導体の開発部門です。開発業務の司令塔として製品企画、開発試作から量産立ち上げに...年収・給与 年収450~ 1000万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
D1-4【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア ◆WEB面接可
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 弊部署では車載向け小型MOSFETの開発・設計をしています。小信号デバイスや車載向けパワーデバイスなどのディスクリート半導体の開発部門です。製品開発の司令塔として製品企画、開発から量産立ち上げにおける...年収・給与 年収450~ 750万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
G2【川崎】電気ー熱ー構造シミュレーション・システム設計技術エンジニア
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 下記業務をお任せします。具体的には、
■半導体パッケージの電気、熱、構造シミュレーション■半導体パッケージを実装したプリント基板の電気、熱、構造シミュレーション
■EMC測定、熱測定■パワー半導体の素...年収・給与 年収450~ 1000万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
G1【神奈川】次世代半導体パッケージング技術開発 ◆WEB面接可
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 次世代半導体パッケージ・モジュール組立に関する各種開発をお任せします。
【詳細】■パワー半導体の高放熱/薄型パッケージ■高周波フォトリレーパッケージ■高周波GaNパッケージール■車載向けパワーモジュー...年収・給与 年収450~ 1000万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
K1【川崎】組み込みソフトウェア開発及びAIソフトウェア開発エンジニア
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 当半導体事業部のソフトウェアの仕様検討、開発、お客様への提供まで一連の流れを担っております。下記3つの課に分かれており、ご経験やご希望をお伺いし業務をお任せします。■モーター制御MCUのソフトウェア開...年収・給与 年収450~ 1000万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
D3【第二新卒/兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア◆/WEB面接可
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 当社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しており、川崎にてデバイス開発とプロセスインテグレーションに取り組んでおります。※エピタキシャルプロセスについては、兵庫にて研究開発中です...年収・給与 年収450~ 1000万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
L1【神奈川/川崎】マイコン・システム LSIの設計エンジニア◆WEB面接可
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 下記業務に従事いただきます。【詳細】■論理合成■STA/タイミング設計■P&R/レイアウト■チップ実装■DFT設計■Low Power 設計■物理設計/パッケージ設計■設計メソドロジ開発【募集...年収・給与 年収450~ 1000万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
E1【神奈川/川崎】アナログIC設計開発エンジニア◆WEB面接可
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 アナログIC(民生・産業MCD、車載MCD、リニアセンサ、デジタルアイソレータ、IPD、LDO,efuseIC等)に関する業務に従事いただきます。【詳細】■回路設計(設計・検証)■製品評価・解析■DF...年収・給与 年収450~ 1000万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
A1【福岡】光半導体のアプリケーションエンジニア◆WEB面接可
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する下記業務をお任せします。【詳細】当部門は光絶縁デバイスの開発・提案業...年収・給与 年収450~ 1000万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
P1【第二新卒/石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーション
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6〜8名のチームを組み、以下業務をお任せします。具体的には、■半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術■評価分析■プロ...年収・給与 年収450~ 1000万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
D2【兵庫】化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア(SiC)◆WEB面接可
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 配属部門ではSiCやGaNなどの化合物半導体の研究開発を行っています。SiCの研究開発は兵庫の姫路半導体工場に人員を集約しており、パワーモジュール開発、デバイス設計、プロセス開発、製造まで一貫して取り...年収・給与 年収450~ 1000万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
D1【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア◆WEB面接可
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する以下の業務をお任せします。具体的には、下記業務になります。
■デバイ...年収・給与 年収450~ 1000万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア◆WEB面接可
東芝デバイス&ストレージ(株)仕事内容 MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス(成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など)の開発をお任せします。
各工程毎にチーム編成をし...年収・給与 年収450~ 1000万円 勤務地 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1 -
【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発◆研修・福利厚生充実/年休127日【dodaエージェントサービス 求人】
東芝デバイス&ストレージ株式会社仕事内容 【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発◆研修・福利厚生充実/年休127日
【脱炭素・カーボンニュートラルの実現に向けて需要増!様々なバックグラウンドのエンジニアが活躍/年休127日/リモート制度...応募資格 <最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上
<応募資格/応募条件>
■必須条件:
以下いずれかのご経験をお持ちの方
・半導体のユニットプロセス技術経験者
・半...年収・給与 <予定年収>
500万円〜1,000万円
<賃金形態>
月給制
<賃金内訳>
月額(基本給):210,000円〜600,000円
<月給>
210,000円〜600,000円
<昇給有無>
有...勤務地 <勤務地詳細>
姫路半導体工場 加賀分室
住所:石川県能美市岩内町1番地1 加賀東芝エレクトロニクス株式会社 事業所内
勤務地最寄駅:北陸本線/加賀笠間駅
受動喫煙対策:屋内全面禁煙
変更の範囲:本文...